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高密度算力功率提升:液冷技術(shù)成為數(shù)據(jù)中心散熱溫控的核心驅(qū)動方案
發(fā)布時間:2026-05-14
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隨著智算中心芯片功耗持續(xù)攀升,單機(jī)柜熱密度大幅提升,傳統(tǒng)風(fēng)冷技術(shù)已難以滿足高密度算力場景的散熱需求。液冷技術(shù)憑借其高效散熱、節(jié)能降噪等優(yōu)勢,正逐步成為未來智算中心的核心散熱技術(shù)。本文將深入分析液冷技術(shù)的系統(tǒng)架構(gòu)、驅(qū)動因素及主流技術(shù)路線。

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一、液冷:未來智算中心的核心散熱技術(shù)

液冷與風(fēng)冷技術(shù)相比,具有顯著優(yōu)勢:溫度傳遞快、帶走熱量多、噪音低、節(jié)能且節(jié)省空間。英偉達(dá)最新商用GB200系列及后續(xù)產(chǎn)品均采用冷板液冷技術(shù),實(shí)現(xiàn)100%全液冷架構(gòu),液冷覆蓋CPU、GPU、內(nèi)存等核心部件。


二、智算中心液冷系統(tǒng)架構(gòu)

2.1 液冷系統(tǒng)通用架構(gòu)

液冷系統(tǒng)通用架構(gòu)可拆解為機(jī)房側(cè)ICT設(shè)備側(cè)兩部分:

  • 機(jī)房側(cè):進(jìn)一步分為一次側(cè)和二次側(cè)

    • 一次側(cè):包含冷卻塔、一次側(cè)管網(wǎng)、一次側(cè)冷卻液(通常為水)。室外側(cè)為外部冷源,如冷水機(jī)組、冷卻塔或干冷器,熱量轉(zhuǎn)移主要通過水溫升降實(shí)現(xiàn)。

    • 二次側(cè):包含CDU(冷量分配單元)、液冷機(jī)柜、二次側(cè)管網(wǎng)和二次側(cè)冷卻液。室內(nèi)側(cè)包括供液環(huán)路和服務(wù)器內(nèi)部流道,熱量轉(zhuǎn)移主要通過冷卻液溫度升降實(shí)現(xiàn)。

兩個部分通過CDU中的板式換熱器發(fā)生間壁式換熱。

  • ICT設(shè)備側(cè):浸沒式采用Tank安裝制冷工質(zhì),ICT設(shè)備浸沒其中;冷板式主要采用冷板貼附于核心熱源(CPU、GPU、內(nèi)存等)上方。

2.2 制冷工質(zhì)的選擇

液冷類型 常用工質(zhì)
冷板式 乙二醇/丙二醇溶液(基于防凍考慮)或去離子水
浸沒式 氟化液、礦物油(如硅油)等

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三、液冷技術(shù)的主要驅(qū)動因素

3.1 驅(qū)動因素一:液冷相比風(fēng)冷單位成本下降,散熱能力更好

高散熱:液冷系統(tǒng)常用介質(zhì)(去離子水、醇基溶液、氟碳類工質(zhì)、礦物油等)的載熱能力、導(dǎo)熱能力和強(qiáng)化對流換熱系數(shù)均遠(yuǎn)大于空氣。針對單芯片,液冷相比風(fēng)冷具有更高的散熱能力。

低TCO(總擁有成本):液冷散熱技術(shù)雖會增加一定初期投資,但可通過降低運(yùn)行成本快速回收。根據(jù)中興通訊測算,以10MW數(shù)據(jù)中心為例,液冷方案(PUE1.15)相比冷凍水方案(PUE1.35),約2.2年可回收增加的基礎(chǔ)設(shè)施初投資。施耐德數(shù)據(jù)顯示,按每機(jī)架20kW和40kW部署液冷,投資成本比傳統(tǒng)風(fēng)冷分別節(jié)省10%和14%。

3.2 驅(qū)動因素二:算力功率密度提升,液冷逐步成為剛需

智算中心芯片功耗不斷提升,單機(jī)柜熱密度大幅快速提升。液冷將是高功率密度散熱的主要方案:

  • 英偉達(dá)B200芯片TDP功耗已達(dá)1000W

  • GB200超級芯片(一顆Grace CPU + 兩顆Blackwell GPU)功耗達(dá)2700W

  • 從Blackwell到Rubin Ultra架構(gòu)演進(jìn),Vertiv數(shù)據(jù)顯示,AI GPU機(jī)架峰值密度有望從2024年的130kW增長到2029年突破1MW

3.3 驅(qū)動因素三:全球數(shù)據(jù)中心能耗管控趨嚴(yán),PUE考核趨嚴(yán)

碳中和背景下,主要國家和地區(qū)對數(shù)據(jù)中心PUE提出更嚴(yán)格要求。以我國為例,新建大型和超大型數(shù)據(jù)中心PUE需降至1.25以內(nèi)。

目前,標(biāo)準(zhǔn)風(fēng)冷數(shù)據(jù)中心中溫控環(huán)節(jié)能耗占比達(dá)40%(主要為精密空調(diào)消耗)。PUE值越接近1,表明能耗主要集中于IT設(shè)備。通過液冷替代精密空調(diào),有助于降低PUE,實(shí)現(xiàn)節(jié)約能耗。

3.4 驅(qū)動因素四:CSP云廠商均在設(shè)計和啟用液冷方案

主流云服務(wù)提供商(CSP)已紛紛布局液冷技術(shù),推動液冷方案在數(shù)據(jù)中心的大規(guī)模應(yīng)用。

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四、液冷技術(shù)分類與詳解

液冷散熱技術(shù)主要分為冷板式、浸沒式和噴淋式三大類。按照是否相變,冷板式可分為單相冷板式與兩相冷板式;浸沒式可分為單相浸沒式與相變浸沒式。

4.1 冷板式液冷(當(dāng)前主流方案)

冷卻液不直接接觸電子器件,通過冷板間接傳遞熱量。

特點(diǎn)

  • 兼容性強(qiáng)、易于維護(hù)、可靠性高(液體與設(shè)備不直接接觸)

  • 存在問題:未實(shí)現(xiàn)100%液冷,節(jié)能收益可能不顯著;液冷板設(shè)計需適配現(xiàn)有器件布局,標(biāo)準(zhǔn)化難度大

冷板式技術(shù)分類

  • L2A(Liquid to Air):空氣輔助液體冷卻,適用于傳統(tǒng)空氣冷卻數(shù)據(jù)中心,無需額外液冷基礎(chǔ)設(shè)施

  • L2L(Liquid to Liquid):通過CDU清除MW級IT熱量,需要額外液冷基礎(chǔ)設(shè)施

冷板式發(fā)展方向一:兩相式
允許冷卻液在冷卻過程中發(fā)生相變(液態(tài)吸熱沸騰為氣態(tài),冷凝端放熱變回液態(tài))。兩相冷板式液冷系統(tǒng)有望實(shí)現(xiàn)2500W芯片散熱。

冷板式發(fā)展方向二:微通道(MLCP)
MLCP(微通道水冷板)通過蝕刻工藝將傳統(tǒng)毫米級流道縮小至微米級(30-150微米),并將均熱板、水冷板、芯片封裝蓋板整合為單一單元,減少導(dǎo)熱界面材料的使用,使冷卻液更直接高效地帶走熱量。MLCP單價可達(dá)傳統(tǒng)水冷板的3-5倍,毛利率較高。以GB300架構(gòu)為例,一個機(jī)柜需要108+18個MLCP,報價約800-900美元/塊。

前沿進(jìn)展:微軟已成功開發(fā)微流體冷卻技術(shù),通過細(xì)如發(fā)絲的微小通道將冷卻液直接輸送到芯片內(nèi)部,散熱效率比現(xiàn)有散熱板高出三倍,能將芯片最高溫升降低65%。

4.2 浸沒式液冷

單相浸沒式

  • 浸沒機(jī)柜設(shè)計更簡單,氟化液更易操作、維護(hù)

  • 材料兼容性和循環(huán)中污染物隱患更少

雙相(相變)浸沒式

  • 通過冷卻液沸騰(液相→氣相)實(shí)現(xiàn)更高傳熱效率

  • 功率密度可達(dá)250-500kW/浸沒腔

  • 冷卻基礎(chǔ)設(shè)施較簡單(如使用干式冷卻器,無需冷卻水塔等蒸發(fā)降溫設(shè)施)


五、總結(jié)

在高密度算力功率持續(xù)提升的背景下,液冷技術(shù)憑借其優(yōu)異的散熱能力、更低的TCO、對PUE政策的良好響應(yīng)以及云廠商的積極推動,已成為智算中心散熱溫控的主要技術(shù)方向。冷板式液冷當(dāng)前占據(jù)主流,未來將向兩相式、微通道等方向演進(jìn);浸沒式液冷在超高熱密度場景中亦具有廣闊應(yīng)用前景。液冷技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新將為AI算力的爆發(fā)式增長提供堅實(shí)的熱管理基礎(chǔ)。

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